热载流子效应对n-MOSFETs可靠性的影响

• 作者: 朱炜玲 李观启 章晓文 陈平 黄美浅
• 来源期刊: 华南理工大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 热载流子效应 MOSFET 跨导 阈值电压 可靠性
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 页码范围: 33-36
• 页数: 4页
• 分类号: TN304|TN386
• 字数: 2410字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-565X.2003.07.008

摘要

研究热载流子效应对不同的沟道长度n-MOSFETs退化特性的影响.结果表明,随着器件沟道长度的减小,其跨导退化明显加快,当沟道长度小于1μm时退化加快更显著.这些结果可以用热载流子注入后界面态密度增加来解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李观启	华南理工大学应用物理系	20	44	4.0	5.0
2	陈平	华南理工大学应用物理系	29	234	8.0	14.0
3	黄美浅	华南理工大学应用物理系	22	79	4.0	8.0
4	朱炜玲	华南理工大学应用物理系	1	11	1.0	1.0