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摘要:
设计了低功耗、高电源抑制比CMOS带隙基准电压发生器电路.其设计特点是采用了共源共栅电流镜,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路;使用CSMC标准0.6 μm双层多晶硅n-well CMOS工艺混频信号模型,利用Cadence的Spectre工具对其仿真,结果显示当温度和电源电压变化范围为-50℃~150℃和4.5V~5.5V时输出基准电压变化小于1.6 mV和0.13 mV;低频电源抑制比达到75 dB.电路在5 V电源电压下工作电流小于10 μA.该电路适用于对功耗要求低、稳定度要求高的集成温度传感器电路中.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 低功耗CMOS带隙基准电压源的设计
来源期刊 宇航计测技术 学科 物理学
关键词 低功耗 高电源抑制比 带隙基准 共源共栅电流镜
年,卷(期) 2004,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 41-44
页数 4页 分类号 O59
字数 1940字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-7202.2004.06.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 曾健平 湖南大学应用物理系 90 672 12.0 22.0
2 晏敏 湖南大学应用物理系 61 635 13.0 23.0
3 文剑 湖南大学应用物理系 12 78 5.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
低功耗
高电源抑制比
带隙基准
共源共栅电流镜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
宇航计测技术
双月刊
1000-7202
11-2052/V
大16开
北京142信箱408分箱
18-123
1981
chi
出版文献量(篇)
2113
总下载数(次)
3
总被引数(次)
8082
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