基于电子激励解吸附原理的二次电子崩假说

• 作者: 严萍 孙广生 邵涛 高巍
• 来源期刊: 高压电器
• 学科: 工学
• 关键词: 二次电子崩 二次电子发射系数 解吸附
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 366-369
• 页数: 4页
• 分类号: TM85
• 字数: 4094字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1609.2004.05.016

摘要

系统阐述了基于电子激励解吸附原理的二次电子崩假说的核心论点,即绝缘体表层气体解吸附是导致闪络发生的关键,分析了假说中的阴极三结合点场致电子发射、二次电子崩产生、二次电子发射系数δ、绝缘体表面电荷、绝缘体表面气体解吸附等因素在闪络过程中的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严萍	中国科学院电工研究所	191	2402	27.0	36.0
2	孙广生	中国科学院电工研究所	50	692	16.0	24.0
3	邵涛	中国科学院电工研究所	68	811	17.0	26.0
7	高巍	中国科学院电工研究所	15	111	8.0	10.0