120keV的N+注入SiC薄膜的光谱特性研究

• 作者: 宋银 张崇宏 段敬来 王志光 赵志明 金运范
• 来源期刊: 高能物理与核物理
• 关键词: SiC N+注入 光致发光谱 傅立叶红外光谱
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 探测器与实验方法
• 页码范围: 626-628
• 页数: 3页
• 字数: 1831字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-3052.2004.06.012

摘要

文中主要研究了120keV的N+注入后SiC薄膜样品的光致发光谱(PL)和傅立叶红外光谱(FTIR)特性.从红外光谱可以看到有明显得碳氮单键、双键、三键等新结构生成.从PL光谱则发现365nm处的发光峰明显增强,这表明N+注入使得带隙中深的能级辐射中心复合的效率大幅度提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金运范	中国科学院近代物理研究所	38	183	9.0	12.0
2	王志光	中国科学院近代物理研究所	39	183	8.0	11.0
3	张崇宏	中国科学院近代物理研究所	50	169	7.0	11.0
4	宋银	中国科学院近代物理研究所	25	108	6.0	9.0
5	赵志明	中国科学院近代物理研究所	8	46	3.0	6.0
6	段敬来	中国科学院近代物理研究所	10	56	3.0	7.0