N+注入ZnO薄膜表面性质的变化

• 作者: 卢景霄 杨仕娥 段启亮 王海燕 陈泳生 靳瑞敏
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 直流反应磁控溅射 N+注入 p型掺杂
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 5-7
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 1953字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.11.002

摘要

用直流反应磁控溅射法制备ZnO薄膜,将N+注入ZnO薄膜经快速热退火(RTA)后,通过XRD,AFM,UV-VIS-NIR分光光度计等比较了N+注入后ZnO薄膜的电阻率、导电类型、表面形貌和可见光透过率等的变化.经不同条件处理后的ZnO薄膜均具有相同的择优取向(002).经RTA后颗粒普遍增大;N+注入后经RTA颗粒增大明显,最大有1 μm.N+注入后,使ZnO膜的导电类型由原来的n型转变为弱p型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海燕	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	62	372	11.0	16.0
2	杨仕娥	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	68	513	12.0	18.0
3	卢景霄	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
4	靳瑞敏	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	13	55	4.0	7.0
5	段启亮	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	3	4	2.0	2.0
6	陈泳生	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0