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摘要:
采用AFM阳极氧化方法,在控制AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下,在Al/SiO2/Si表面制备了Al2O3纳米图形,图形最小尺寸为70nm.研究了表面吸附水层存在下AFM阳极氧化机理.实验结果表明AFM阳极氧化是制备金属氧化物半导体纳米器件的较好方法.
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文献信息
篇名 Al/SiO2/Si表面Al2O3纳米图形的AFM阳极氧化制备方法
来源期刊 半导体学报 学科 物理学
关键词 纳米图形 纳米线 阳极氧化 AFM
年,卷(期) 2004,(11) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1464-1468
页数 5页 分类号 O447
字数 2132字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.11.022
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 焦正 上海大学射线应用研究所 57 394 10.0 18.0
2 李珍 上海大学射线应用研究所 15 59 5.0 7.0
3 吴明红 上海大学射线应用研究所 136 1075 16.0 27.0
4 王德庆 上海大学射线应用研究所 14 74 5.0 8.0
5 顾建忠 上海大学射线应用研究所 18 170 8.0 13.0
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研究主题发展历程
节点文献
纳米图形
纳米线
阳极氧化
AFM
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
上海市青年科技启明星计划
英文译名:Sponsored by Shanghai Rising-Star Program
官方网址:http://www.stcsm.gov.cn/Detail/PolicyStatueDetail.aspx?id=480
项目类型:
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