Al/SiO2/Si表面Al2O3纳米图形的AFM阳极氧化制备方法

• 作者: 吴明红 李珍 焦正 王德庆 顾建忠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米图形 纳米线 阳极氧化 AFM
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1464-1468
• 页数: 5页
• 分类号: O447
• 字数: 2132字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.11.022

摘要

采用AFM阳极氧化方法,在控制AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下,在Al/SiO2/Si表面制备了Al2O3纳米图形,图形最小尺寸为70nm.研究了表面吸附水层存在下AFM阳极氧化机理.实验结果表明AFM阳极氧化是制备金属氧化物半导体纳米器件的较好方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	焦正	上海大学射线应用研究所	57	394	10.0	18.0
2	李珍	上海大学射线应用研究所	15	59	5.0	7.0
3	吴明红	上海大学射线应用研究所	136	1075	16.0	27.0
4	王德庆	上海大学射线应用研究所	14	74	5.0	8.0
5	顾建忠	上海大学射线应用研究所	18	170	8.0	13.0