F掺杂SnO2透明导电薄膜微结构及性能研究

• 作者: 刘起英 曹涯雁 汪建勋 翁文剑 莫建良 陈华 韩高荣
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: CVD F掺杂SnO2薄膜 微结构 性能
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 152-156
• 页数: 5页
• 分类号: TM615
• 字数: 3402字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2004.02.006

摘要

通过实验测量常压热分解CVD工艺制备的F掺杂SnO2薄膜的方块电阻、膜厚、形貌、微结构、中远红外反射率等性质,详细研究了基板温度对SnO2薄膜微结构的影响和微结构与薄膜电学、光学性能之间的关系.研究发现,将基板温度从375℃提高到525℃以上,薄膜结晶程度大大提高,薄膜厚度从25m提高到近300nm,方块电阻下降了两个数量级,中远红外的反射率达到了85%以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩高荣	浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程学系	187	1971	24.0	35.0
2	翁文剑	浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程学系	79	1088	20.0	30.0
3	汪建勋		20	263	8.0	16.0
4	陈华		44	551	11.0	23.0
5	刘起英		5	79	4.0	5.0
6	莫建良	浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程学系	5	25	1.0	5.0
7	曹涯雁		1	25	1.0	1.0