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GaN微电子器件的研究进展
GaN
GaN材科
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文献信息
篇名 32 微电子器件SEU灵敏体积研究
来源期刊 中国原子能科学研究院年报 学科 航空航天
关键词 微电子器件 SEU 灵敏 体积 PP模型 临界能量 单粒子效应 单粒子翻转 关键参数
年,卷(期) 2004,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 57-58
页数 2页 分类号 V443
字数 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
微电子器件
SEU
灵敏
体积
PP模型
临界能量
单粒子效应
单粒子翻转
关键参数
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研究来源
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期刊影响力
中国原子能科学研究院年报
年刊
大16开
北京275信箱65分箱
1978
chi
出版文献量(篇)
6253
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51
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