808 nm高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器

• 作者: 张素梅 石家纬 石英学 赵世舜
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 高功率 远结 单量子阱 AlGaAs/GaAs
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 177-180
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2120字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2004.03.004

摘要

设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器,其发射波长为808 nm,腔长为900 μm,条宽为100μm.其外延结构与通常的808 nm AlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p-n结和有源区间多了一层0.3μm厚的p型Al0.3Ga0.7As下波导层.对研制的器件进行了电导数测试,结果显示,与常规AlGaAs/GaAs大功率半导体激光器相比,远结半导体激光器具有阚值电流偏大、导通电压偏高的直流特性.经4 200h的恒流电老化结果表明,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降,输出功率随老化时间缓慢上升的远结特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵世舜	吉林大学数学学院	17	90	5.0	9.0
2	石家纬	吉林大学集成光电子学国家重点联合实验室	16	101	6.0	9.0
3	张素梅	吉林大学集成光电子学国家重点联合实验室	7	35	3.0	5.0
4	石英学	吉林大学集成光电子学国家重点联合实验室	1	0	0.0	0.0