电子回旋共振等离子体的刻蚀技术

• 作者: 吴振宇 徐新艳 杨银堂 汪家友
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电子回旋共振 等离子体 刻蚀 硅
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 工艺与应用
• 页码范围: 61-63
• 页数: 3页
• 分类号: TN405.98
• 字数: 1999字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2004.02.018

摘要

用电子回旋共振等离子体进行了硅基材料的刻蚀技术研究,进行了沟槽刻蚀实验,得到了较为陡直的侧壁.制作了精细图形,等离子体损伤较低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴振宇	西安电子科技大学微电子研究所	24	170	9.0	12.0
2	汪家友	西安电子科技大学微电子研究所	31	267	11.0	15.0
3	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
4	徐新艳	西安电子科技大学微电子研究所	5	51	3.0	5.0