Au/n-ZnO肖特基势垒特性的退火行为研究

• 作者: 叶志镇 曾昱嘉 朱丽萍 袁国栋 钱庆
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 肖特基势垒 退火 I-V特性
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 无线电电子学、电信技术
• 页码范围: 1252-1255
• 页数: 4页
• 分类号: TN311.7
• 字数: 3120字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2004.10.004

摘要

报道了Au/n-ZnO形成的肖特基势垒经不同温度退火后其特性的变化.利用X射线衍射、扫描电子显微镜和扩展电阻测试对ZnO外延片的晶体质量和电学性能进行测试.采用集成电路标准工艺在ZnO外延层上制备了Si3N4隔离层及Au电极,并对该结构进行不同温度下的退火实验,分别测量其I-V特性.结果表明ZnO外延层具有高度C轴取向,表面光洁,平整,外延层与衬底之间有明显的过渡区.退火前后的样品在室温下的I-V测试结果表明,Au/n-ZnO具有明显的整流特性,其中673 K,1 min退火所得的反向漏电流仅为-0.017μA(-5V).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱丽萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	曾昱嘉	浙江大学硅材料国家重点实验室	10	71	5.0	8.0
4	袁国栋	浙江大学硅材料国家重点实验室	7	59	5.0	7.0
5	钱庆	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	20	1.0	3.0