Ge/Si(001)量子点组分的掠入射X射线反常衍射测量

• 作者: 何庆 姜晓明 贾全杰
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 组分 量子点 掠入射X射线反常衍射
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 新一代同步辐射技术及应用
• 页码范围: 409-412
• 页数: 4页
• 分类号: O434.14|O766
• 字数: 2465字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2004.06.003

摘要

利用掠入射X射线反常散射/衍射实验技术对Si(001)上生长的单层和双层Ge量子点的组分分布进行了直接测量,结果显示,在Si间隔层厚度为90nm时得到的双层Ge量子点与单层Ge量子点的组分及其分布特征是几乎相同的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜晓明	中国科学院高能物理研究所	21	198	7.0	14.0
2	何庆	中国科学院高能物理研究所	5	14	2.0	3.0
3	贾全杰	中国科学院高能物理研究所	18	57	3.0	7.0