基于MOSFET的固体开关技术实验研究

• 作者: 李劲 章林文 赵军平
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: FDTD MHz重复频率 MOSFET 固体开关
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 粒子束及加速器技术
• 页码范围: 1481-1484
• 页数: 4页
• 分类号: TL531.1
• 字数: 1821字
• 语种: 中文

摘要

采用两只1kV MOSFET器件及驱动模块和高带宽光纤收发对,研究了固体开关技术中的触发信号高压隔离、功率MOSFET器件栅极驱动及MOSFET串并联使用等关键技术.单器件开关获得了1kV,13A,4MHz重复频率的脉冲串输出.两器件并联开关获得了130A,2MHz的输出.两器件串联开关获得了1.6kV,2MHz重复频率脉冲串输出.