掺杂半导体扫描电镜二次电子像

• 作者: 丁泽军 吴自勤 孙霞
• 来源期刊: 物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺杂衬度 SEM 半导体
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 实验技术
• 页码范围: 765-770
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4568字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2004.10.011

摘要

综述了用扫描电镜的二次电子像获得掺杂半导体衬度剖析的方法.实验发现掺杂半导体扫描电镜像对杂质浓度的灵敏度可以达到1016cm-3,且空间分辨率高达nm量级,是最有可能发展成为下一代掺杂剖析成像的主流技术.文中还探讨了半导体掺杂衬度的可能的机理,详细介绍了两种主要机理:表面能带弯曲和样品外局域电场的出现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙霞	中国科学技术大学结构分析重点实验室中国科学技术大学物理系	30	317	9.0	17.0
2	吴自勤	中国科学技术大学结构分析重点实验室中国科学技术大学物理系	33	324	9.0	17.0
3	丁泽军	中国科学技术大学结构分析重点实验室中国科学技术大学物理系	21	55	4.0	7.0