基于RST的SiGe/Si"或非"逻辑器件研究

• 作者: 姜涛 张鹤鸣 戴显英 王伟 胡辉勇 舒斌
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结 RST 耗尽层
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 技术论文
• 页码范围: 22-24
• 页数: 3页
• 分类号: TN31
• 字数: 1620字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2004.04.007

摘要

文中通过利用耗尽层阻断沟道的方法,讨论了一种基于RST结构原理实现"或非"逻辑功能的器件结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子所	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子所	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子所	102	510	12.0	16.0
4	王伟	西安电子科技大学微电子所	83	505	12.0	18.0
5	舒斌	西安电子科技大学微电子所	14	109	8.0	10.0
6	姜涛	西安电子科技大学微电子所	4	15	2.0	3.0