氮化硅刻蚀工艺的研究

• 作者: 赵水林
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅剥离 刻蚀速度 磷酸
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 制造与工艺
• 页码范围: 63-66
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2004.06.015

摘要

对氮化硅阻挡层或ARC层的去除通常使用在高温磷酸溶液中选择性氮化硅刻蚀.简要地阐述氮化硅刻蚀的工艺特性,及对氮化硅刻蚀后氧化硅厚度的控制提出一点见解.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵水林		1	4	1.0	1.0