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摘要:
针对Si衬底不透明而无法采用透射谱测量GaN薄膜厚度问题,应用反射谱测量,同时结合晶体薄膜的干涉效应原理,并考虑到晶体折射率随光子能量变化的因素,从理论上推导出了实用的薄膜厚度计算方法,从而得到实现材料特性的方便表征和MOCVD设备的在线薄膜厚度测量的新途径.
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文献信息
篇名 基于反射谱的GaN薄膜厚度在线测量系统
来源期刊 电子质量 学科 工学
关键词 GaN Si衬底 反射谱 厚度测量
年,卷(期) 2004,(12) 所属期刊栏目 IC工程
研究方向 页码范围 56-57
页数 2页 分类号 TN407
字数 1910字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-0107.2004.12.029
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张永刚 西安电子科技大学微电子研究所 1 5 1.0 1.0
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GaN
Si衬底
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厚度测量
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电子质量
月刊
1003-0107
44-1038/TN
大16开
广州市五羊新城广兴花园32号一层
46-39
1980
chi
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