ZnO∶Tb透明导电薄膜的制备及其特性研究

• 作者: 何志巍 方泽波 朋兴平 王印月 谭永胜
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO RF溅射 透明导电薄膜
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 502-504
• 页数: 3页
• 分类号: O782
• 字数: 2239字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.014

摘要

用RF磁控反应共溅射法在Si(111)衬底上制备出了铽 (Tb) 掺杂的ZnO透明导电薄膜.研究了溅射中Tb掺杂量对ZnO薄膜的结构、电学和光学特性的影响.结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有良好c轴取向,电阻率降低到9.34×10-4 Ω·cm,且可见光段(400～800 nm)平均透过率大于80%的ZnO∶Tb新型透明导电材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方泽波	兰州大学物理系	7	112	5.0	7.0
2	朋兴平	兰州大学物理系	10	188	7.0	10.0
3	谭永胜	兰州大学物理系	3	88	3.0	3.0
4	何志巍	兰州大学物理系	7	100	5.0	7.0
5	王印月	兰州大学物理系	39	567	15.0	23.0