基于BiCMOS制作技术的探讨与研究

• 作者: 鄢云
• 来源期刊: 测试技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 双极晶体管 BiCMOS 扩散 注入 外延层 n阱 p阱
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 测试理论及应用
• 页码范围: 69-73
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 2131字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7449.2004.z1.019

摘要

此文从最简单最基本的三重扩散3DBiCMOS制作工艺技术入手,分析了BiCMOS制作工艺的特征,重点探讨了双阱BiCMOS工艺处理方法,进行了CMOS,双极晶体管和BiCMOS工艺对比分析,对BiCMOS制作工艺及性能提高的前景进行探讨与研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鄢云		3	6	1.0	2.0