a-Si TFT有源矩阵的单故障交流导纳分析

• 作者: 宋跃 邹雪城
• 来源期刊: 仪器仪表学报
• 学科: 工学
• 关键词: 缺陷模型 导纳特性 电流环路 归一化 缺陷效应
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 212-216
• 页数: 5页
• 分类号: TM93
• 字数: 2493字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-3087.2004.02.019

摘要

为检测a-Si TFT有源矩阵板缺陷,提出了TFT阵列测试电流环路模式和交流导纳单故障模型,研究了TFT像素单元交流导纳特性和缺陷效应,研究发现TFT单元在无缺陷时,它的等效电导、电容是测试信号频率和TFT沟道电阻的函数,在出现任一单缺陷时,其等效电导或电容则为常数,同时发现在一定频率的测试信号作用下,无缺陷时TFT通断态的等效电导、电容之差为非零常数,而在任一单缺陷时它们则依据缺陷类型可能出现0或极大.本研究与实验取得了良好的吻合,从而为a-Si TFT有源矩阵的故障检测提供了一种较完美的理论模型和实用的分析方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹雪城	华中科技大学电子科学与技术系	310	2261	21.0	31.0
2	宋跃	湖南科技大学信息与电气工程学院	29	95	6.0	8.0