硅中高剂量锗离子注入的快速热退火研究

• 作者: 罗益民 陈振华 黄培云
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 锗离子注人 SiGe/Si异质结 快速热退火
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 101-103
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 1512字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2004.07.030

摘要

报道了利用高剂量Ge+注入制备SiGe/Si异质结的工作.100keV、5.3×1016/cm2/cm2 Ge+注入(001)SIMOX膜中,峰值Ge+浓度接近20%.样品在不同温度下进行不同时间的快速热退火,X射线衍射分析和背散射沟道谱研究表明:1000°C退火0.5h,退火效果较好;退火时间过短或过长,退火温度过高或过低,都将影响退火效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈振华	湖南大学材料科学学院	324	5465	34.0	57.0
2	罗益民	中南大学物理科学与技术学院	11	62	4.0	7.0
3	黄培云	中南大学粉末冶金研究院	17	598	10.0	17.0