反应法制备SiC涂层组成与结构

• 作者: 周新贵 张玉娣 张长瑞 曹英斌 李俊生
• 来源期刊: 国防科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅涂层 反应法 微观结构 匹配
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 航天工程·材料工程·控制工程
• 页码范围: 16-19
• 页数: 4页
• 分类号: TB321
• 字数: 3095字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2486.2005.01.005

摘要

采用反应法在C/SiC复合材料表面制备SiC致密涂层,利用XRD分析涂层的组分及晶体结构,利用扫描电镜及金相显微镜观察涂层的断口及表面形貌,并对涂层形成过程进行了分析.结果显示:涂层主要由SiC及少量的游离Si组成,致密不开裂的SiC涂层与C/SiC复合坯体之间有很好的梯度过渡结构;相反,涂层与坯体之间如果没有形成过渡层,涂层会因热残余应力过大而开裂;反应法制备不开裂SiC涂层与CVD SiC涂层有很好的热匹配性,同时在其表面制备的CVD SiC涂层无点缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长瑞	国防科技大学航天与材料工程学院	138	1800	24.0	32.0
2	周新贵	国防科技大学航天与材料工程学院	93	1060	19.0	27.0
3	曹英斌	国防科技大学航天与材料工程学院	49	729	16.0	24.0
4	张玉娣	国防科技大学航天与材料工程学院	22	269	8.0	16.0
5	李俊生	国防科技大学航天与材料工程学院	8	71	5.0	8.0