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摘要:
建立了较完整的适用于EIS(electrolyte insulator semiconductor)型生化传感器的EI界面势理论模型,在此基础上开发了EI界面的计算机辅助分析程序,对EI界面中双电层电势分布、带电格点密度、EI界面势进行了深入的定量分析,最后将EI界面势模拟结果与ISFET(ion sensitive field effect transistor)的实测结果进行了比较,进一步验证了文中的理论模型.
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文献信息
篇名 EIS型半导体生化传感器EI界面势的理论模拟
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 半导体生化传感器 EI界面势模型 计算机辅助分析
年,卷(期) 2005,(11) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 2196-2201
页数 6页 分类号 TN386
字数 2606字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.028
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 牛文成 南开大学信息技术科学学院微电子系 48 515 11.0 21.0
2 俞梅 南开大学信息技术科学学院微电子系 11 30 4.0 5.0
3 张福海 南开大学信息技术科学学院微电子系 17 37 4.0 5.0
4 贾芸芳 南开大学信息技术科学学院微电子系 25 64 5.0 6.0
5 刘国华 南开大学信息技术科学学院微电子系 26 204 7.0 13.0
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研究主题发展历程
节点文献
半导体生化传感器
EI界面势模型
计算机辅助分析
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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