电子束蒸镀制备的Mg-Zr-O复合介质保护膜结晶取向的研究

• 作者: 刘柳 刘纯亮 夏星 范玉峰 郭滨刚
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体显示板 保护膜 ZrO2 结晶取向
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055|O484.4
• 字数: 2997字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.01.014

摘要

采用电子束蒸发制备Mg-Zr-O复合介质保护膜,使用X射线衍射测试Mg-Zr-O复合介质保护膜的结晶择优取向,研究了ZrO2掺杂及工艺参数对Mg-Zr-O复合介质保护膜结晶取向的影响.结果表明,ZrO2掺杂会使Mg-Zr-O复合介质保护膜产生晶格畸变,并改变其结晶取向.当ZrO2掺杂比为0和0.10时,晶格畸变较小,容易获得(111)结晶取向;当ZrO2掺杂比为0.05和0.20时,晶格畸变较大,容易获得(220)或(200)结晶取向.蒸镀工艺对(111)、(200)和(220)取向的影响不尽相同:较高的蒸镀速率有利于获得较强的(111)、(200)和(220)衍射峰;较低的基板温度有利于获得(111)和(220)结晶取向,而较高的基板温度则有利于获得(200)结晶取向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘纯亮	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	124	527	9.0	16.0
2	郭滨刚	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	8	16	2.0	3.0
3	范玉峰	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	4	5	1.0	2.0
4	夏星	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	7	15	3.0	3.0
5	刘柳	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	11	55	3.0	7.0