GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究

• 作者: 刘国军 刘文莉 李林 王晓华 钟景昌
• 来源期刊: 光电子技术与信息
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱 光荧光(PL)谱 Ⅴ/Ⅲ束流比
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与元器件
• 页码范围: 23-25
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.07
• 字数: 1899字
• 语种: 中文

摘要

分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素.对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8 nm、10 nm、12 nm时,10 K下的PL谱半峰宽(FWHM)分别为6.42 meV、6.28 meV、6.28 meV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟景昌	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	20	129	7.0	10.0
2	刘国军	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	62	303	9.0	14.0
3	李林	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	30	177	8.0	12.0
4	王晓华	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	54	156	7.0	9.0
5	刘文莉	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	7	41	5.0	6.0