关于GCNMOS的ESD保护电路的HBM的分析测试

• 作者: 张宏 张宏庆 沈桂芬 范军
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 静电放电 人体模型 GCNMOS
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 124-126
• 页数: 3页
• 分类号: O45
• 字数: 1917字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2005.02.009

摘要

静电放电(electrostatic discharge, ESD)是造成大多数的集成电路(integrated circuits, ICs)或电子系统受到过度电性应力(electrical overstress,EOS)破坏的主要原因.而HBM(human boby model)是ESD破坏IC的最常见的一种方式.因此要在IC中加入相关的保护电路.对一种GCNMOS(gate-couple NMOS)的保护电路进行详细的分析与测试.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈桂芬	辽宁大学物理系	15	136	6.0	11.0
2	张宏庆	辽宁大学物理系	8	57	4.0	7.0
3	范军	辽宁大学物理系	8	57	4.0	7.0
4	张宏	辽宁大学物理系	12	37	4.0	6.0