脉冲激光沉积法原位后退火生长MgB2薄膜的研究

• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: MgB2 超导薄膜 脉冲激光沉积 原位后退火
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 710-714
• 页数: 5页
• 分类号: TG1
• 字数: 2597字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0479-8023.2005.05.008

摘要

采用脉冲激光沉积的方法在Al2O3(0001)基片上先生成Mg-B混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成MgB2超导薄膜,采用磁测量(M-T)、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对MgB2超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影响.在沉积温度为200 ℃,退火时间5 min时,改变退火温度得到一组薄膜,研究退火温度对超导薄膜性质的影响,得到了转变温度-退火温度曲线.在退火温度为670 ℃、720 ℃时,得到了最高的临界转变温度Tc=33 K,X射线衍射结果表明此时的薄膜有c轴取向.同时比较了在200 ℃下沉积,在670 ℃下分别退火不同时间的薄膜的超导性质.还比较了分别在不同温度下沉积,然后在670 ℃下退火5 min的薄膜的超导性质.结果表明,沉积温度和退火温度、退火时间极大的影响了薄膜的各种性质.