SOI自对准硅化钛工艺研究

• 作者: 宋哲 张丽 永福 王芳 王莉 石广源
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 硅化钛 自对准工艺
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 257-259
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 1747字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2005.03.018

摘要

阐述了SOI硅化钛的相关问题,采用两步快速热退火工艺形成低电阻的TiSi2,通过实验得出2次快速热退火的最佳时间和温度,形成良好的SOI自对准硅化钛工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石广源	辽宁大学物理系	39	119	6.0	8.0
2	王莉	辽宁大学物理系	5	5	2.0	2.0
3	宋哲	辽宁大学物理系	3	5	2.0	2.0
4	永福	辽宁大学物理系	2	3	1.0	1.0
5	张丽		4	10	2.0	3.0
6	王芳		3	11	2.0	3.0