硅化钛场板的工艺条件与特性研究

• 作者: 吴晓鸫 徐政 许帅
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 硅化钛 场板 CV特性 稳定性
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.6
• 字数: 1976字
• 语种: 中文

摘要

场板的制备工艺与特性研究对提高RF LDMOS大功率器件的可靠性与耐高压性有重要意义。文中制备了一种“Si衬底-SiO2-多晶-硅化钛-金属”结构的场板，分析了其工艺条件对特性的影响，并优化其工艺条件。实验表明：PESiO2加200 nm的多晶介质层具有较好的BT CV稳定性，多晶注入后退火温度与硅化钛退火温度的提高不利于场板电阻与平带电压的稳定性。优化后的工艺条件下，该场板结构具有较好的可靠性与耐高压性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许帅		3	3	1.0	1.0
2	吴晓鸫		6	2	1.0	1.0
3	徐政		14	17	3.0	3.0