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摘要:
在考虑各向异性散射的基础上,对锗中电子输运特性进行了全能带蒙特卡洛模拟.计算过程如下:锗的全能带由nonlocal empirical pseudopotential 方法求得;态密度的相对值通过不同能量的状态数得到;声子色散谱由adiabatic bond-charge模型求出;电子-声子散射率在低能量时采用费米黄金律得出的非抛物线散射率,高能量则通过态密度对其修正而得到;散射后的状态满足能量守恒和动量守恒.通过比较计算结果与实验报道,证实了该模型算法的正确性,由于该模型能正确反映锗中电子的速度与能量特性,同时又能大大降低散射率的计算成本,故可运用在器件模拟中.
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文献信息
篇名 考虑各项异性散射的锗中电子输运的全能带蒙特卡洛模拟
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 蒙特卡洛模拟 费米黄金律 输运特性
年,卷(期) 2005,(3) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 465-471
页数 7页 分类号 TN304.1
字数 2328字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.008
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈勇 电子科技大学微电子与固体电子学院 66 345 9.0 15.0
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研究主题发展历程
节点文献
蒙特卡洛模拟
费米黄金律
输运特性
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
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大16开
北京912信箱
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1980
eng
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