减小ITO/PTCDA/P-Si/Al型光电探测器暗电流的方法

• 作者: 刘凤敏 宋珍 甘润今
• 来源期刊: 北京机械工业学院学报（综合版）
• 学科: 工学
• 关键词: 暗电流 产生-复合电流 焙烘工艺 超声压焊
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 5-7
• 页数: 3页
• 分类号: TN304:0621.15
• 字数: 2204字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-6864.2005.01.002

摘要

有机/无机同型异质结是一种新型的光电子元器件,由于它有制备工艺简单,一致性和稳定性好,光电转换效率高,频响特性宽等优点,在光电子领域将有广泛的应用前景.将有机半导体材料苝四甲酸二酐淀积在10 Ω·cm的P-Si无机半导体片上,形成有机/无机同型异质结,然后采用各种工艺处理方法有效的降低了它的暗电流,暗电流减小到了10-9A数量级.对降低暗电流的工艺措施和方法进行了分析和讨论.实验结果还表明,ITO/PTCDA/P-Si/Al同型异质结的暗电流主要成分是耗尽区中载流子的产生-复合电流结的反向饱和电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋珍	北京机械工业学院基础部	13	40	5.0	5.0
2	甘润今	北京机械工业学院基础部	10	18	2.0	4.0
3	刘凤敏	北京机械工业学院基础部	8	13	1.0	3.0