表面氢化降低SiC/金属接触间界面态密度的机理

• 作者: 张波 李肇基 罗小蓉
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氢化 极性 界面态 接触电阻 理想因子
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 340-342,354
• 页数: 4页
• 分类号: TN301|TN305.2
• 字数: 1768字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2005.03.014

摘要

研究了SiC表面氢化降低界面态密度的机理.采用缓慢氧化、稀释的HF刻蚀、沸水浸泡的表面氢化处理方法,降低SiC表面态密度.该方法用于SiC器件的表面处理,在100℃以下制备了理想因子为1.20～1.25的6H-SiC肖特基二极管,其欧姆接触比接触电阻为(5～7)×10-3Ω·cm2.表面氢化处理的优点在于避免了欧姆接触所需的800～1 200℃的高温合金,降低了工艺难度,改善了肖特基结的电学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学微电子与固体电子学院	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学微电子与固体电子学院	85	958	14.0	28.0
3	罗小蓉	电子科技大学微电子与固体电子学院	18	62	5.0	7.0