表面处理降低GaAs界面态密度的研究

• 作者: 王瑞瑞 肖和平
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 表面处理 GaAs 界面态密度 结合能
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2024字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2019.01.001

摘要

GaAs材料经机械研磨后,表层形成粗糙界面,用酸碱法表面处理GaAs,使Ga-O、As-O键断裂并修复粗糙界面,处理效果通过电导法测量界面态密度与XPS分析界面化合物价态来表征.结果表明酸碱处理均可降低界面态密度与表面Ga、As氧化物,且酸处理的效果优于碱处理,Ga-O化合物去除率高于As-O化合物去除率,界面态密度的降低可能主要与Ga化合物的减少相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖和平		11	11	3.0	3.0
2	王瑞瑞		1	0	0.0	0.0