低温烧结多层片式ZnO压敏电阻内电极 Ag含量对电性能的影响

• 作者: 庄严 苏达根 钟明峰 陈志雄
• 来源期刊: 广西大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 多层压敏电阻器 低温烧结 银含量 晶粒电阻 电性能
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 242-247
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 941字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7445.2005.03.015

摘要

研究了低温烧成多层片式ZnO压敏电阻的内电极中Ag扩散进入ZnO晶格对电性能的影响.研究发现内电极中Ag含量严重影响低温烧结多层片式压敏电阻的电性能.当内电极含Ag量为70%时,具有最好的电性能;而内电极为纯Ag时,电性能最差,压敏电压和限制电压过分地升高,漏电流增大,非线性系数减小.反映晶界势垒电容的电容量随内电极中Ag含量的升高而减小.伏安特性和复数阻抗分析表明,随着内电极中Ag含量的升高,Ag扩散进入ZnO晶格加剧,降低了施主浓度Nd,导致ZnO晶粒电阻增大,以及晶界势垒高度和耗尽层宽度增加,使得多层片式ZnO压敏电阻的电性能变差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏达根	华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室	110	1090	17.0	24.0
2	庄严		22	166	7.0	11.0
3	陈志雄	广州大学物理与电子工程学院	19	134	6.0	11.0
4	钟明峰	华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室	38	228	10.0	13.0