低介电常数介质薄膜的研究进展

• 作者: 冯坚 张长瑞 王娟
• 来源期刊: 化学进展
• 学科: 化学
• 关键词: 低介电常数介质薄膜 多孔薄膜 SSQ基介质 纳米多孔SiO2薄膜 含氟氧化硅(SiOF)薄膜 含碳氧化硅(SiOCH)薄膜 有机聚合物介质
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 综述与评论
• 页码范围: 1001-1011
• 页数: 11页
• 分类号: O64|TB43|O484.8
• 字数: 12788字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-281X.2005.06.008

摘要

用低介电常数介质薄膜作金属线间和层间介质可以降低超大规模集成电路(ULSI)的互连延迟、串扰和能耗.从介质极化的原理出发,揭示了开发低介电常数介质薄膜的可能途径;综述了低介电常数介质薄膜的制备方法、结构与性能表征、工艺兼容性等领域的最新进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长瑞	国防科技大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	138	1800	24.0	32.0
2	冯坚	国防科技大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	43	533	13.0	22.0
3	王娟	国防科技大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	20	187	8.0	13.0