低介电常数氟化非晶碳薄膜的制备与检测

• 作者: 刘雄飞 肖剑荣 高金定
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 a-C:F薄膜 综述 制备 检测 性能
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 10-13
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3335字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.04.003

摘要

氟化非晶碳(a-C:F)薄膜具有介电常数低、热稳定性好等优点,普遍认为是下一代集成电路互联层绝缘介质的最佳候选材料之一.结合研究实践,综述了国内外低介电常数氟化非晶碳薄膜主要的制备技术,工艺参数及性能检测技术,指出了介电常数和热稳定性的矛盾是阻碍该薄膜实用化的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高金定	湖南涉外经济学院电气与信息工程学部	23	117	5.0	10.0
5	刘雄飞	中南大学物理学院	63	517	13.0	21.0
6	肖剑荣	桂林工学院数理系	9	25	3.0	4.0