阵列式薄膜锰铜传感器的研究

• 作者: 杜晓松 杨邦朝 滕林
• 来源期刊: 电子测量与仪器学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锰铜传感器 压阻系数 阵列式 薄膜
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 页码范围: 61-63
• 页数: 3页
• 分类号: TP2
• 字数: 2155字
• 语种: 中文

摘要

采用薄膜工艺制备适合高压力测量的阵列式传感器,文中介绍了该传感器的制造工艺、工作原理.动态加载实验表明,传感器阵列的压阻一致性好,无高压旁路效应,响应时间低于30ns,验证了薄膜锰铜传感器高压测试的准确性和可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜晓松	电子科技大学微电子与固体电子学院	61	434	12.0	16.0
2	杨邦朝	电子科技大学微电子与固体电子学院	253	3422	31.0	49.0
3	滕林	电子科技大学微电子与固体电子学院	16	88	5.0	9.0