一种新的VT基准源

• 作者: 李定 程航
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 基准电流源 基准电压源 CMOS 阈值电压
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 电路设计与制造
• 页码范围: 32-34,38
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 1390字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2005.12.008

摘要

从理论上分析了适合于纯CMOS工艺的VT基准电流源的温度特性,用该电路同时实现基准电压和基准电流.并用0.18μm纯CMOS工艺模型(BSIM 3V3 Level=49)在Hspice U2003.9中进行了仿真验证.该电路具有较小的面积、较高的电源电压抑制比和较低的温度系数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李定	电子科技大学微电子与固体电子学院新器件室	5	20	2.0	4.0
2	程航	电子科技大学微电子与固体电子学院新器件室	1	0	0.0	0.0