SiO2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征

• 作者: 叶志镇 张银珠 张阳 徐伟中 曹亮亮 朱丽萍 赵炳辉
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 SiO2/Si 脉冲激光沉积 光致发光
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 164-167
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3440字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.03.002

摘要

本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜.引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响.利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究.结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱丽萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	张银珠	浙江大学硅材料国家重点实验室	21	434	9.0	20.0
4	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
5	张阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	20	116	7.0	10.0
6	徐伟中	浙江大学硅材料国家重点实验室	5	134	4.0	5.0
7	曹亮亮	浙江大学硅材料国家重点实验室	7	21	3.0	4.0