蓝宝石上射频溅射沉积CeO2外延缓冲层

• 作者: 刘兴钊 李言荣 李金隆 熊杰 谢廷明 陈家俊 陶伯万
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 钇钡铜氧超导薄膜 氧化铈缓冲层 蓝宝石 外延生长
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 149-154,159
• 页数: 7页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3021字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2005.02.004

摘要

研究了基片温度、溅射功率对采用射频溅射沉积在(1102)蓝宝石基片上的CeO2薄膜生长的影响.过低的沉积温度、溅射功率都会导致CeO2薄膜呈[111]取向生长.在基片温度为700～750 ℃,溅射功率为100～150 W,溅射气压为14 Pa下沉积了高质量[00l]取向的CeO2缓冲层.通过X射线衍射和原子力显微镜表征CeO2薄膜的结构和表面形貌.在最优化条件下制备的CeO2薄膜具有优良的面内面外取向性和平整的表面.在CeO2缓冲层上制得的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜为完全[00l]取向,面内取向性良好,并具有优越的电学性能,其临界转变温度(Tc)为89.5 K,临界电流密度Jc(77 K,0T)约为1.8×106 A/cm2,微波表面电阻Rs(77 K,10 GHz)大约为 0.30 mΩ.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李金隆	电子科技大学微电子与固体电子学院	12	66	5.0	7.0
2	李言荣	电子科技大学微电子与固体电子学院	115	824	15.0	21.0
3	刘兴钊	电子科技大学微电子与固体电子学院	56	310	9.0	14.0
4	熊杰	电子科技大学微电子与固体电子学院	41	205	6.0	12.0
5	陶伯万	电子科技大学微电子与固体电子学院	39	165	5.0	10.0
6	陈家俊	电子科技大学微电子与固体电子学院	7	30	4.0	5.0
7	谢廷明	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	15	2.0	3.0