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摘要:
文中对(211)晶向的CdZnTe衬底进行液相外延生长HgCdTe.获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0.30~0.33,薄膜厚度为10~15μm,表面缺陷密度为500cm-2,材料的FWHM达到24弧秒,位错腐蚀坑密度约为2×105cm-2,该材料的表面形貌与采用(111)晶向衬底的HgCdTe外延材料有较大区别.
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文献信息
篇名 采用(211)碲锌镉衬底制备碲镉汞液相外延薄膜
来源期刊 激光与红外 学科 工学
关键词 CdZnTe衬底 HgCdTe薄膜材料 液相外延
年,卷(期) 2005,(11) 所属期刊栏目 碲镉汞外延和衬底材料
研究方向 页码范围 842-844
页数 3页 分类号 TN304.054|TN304.2+5
字数 2606字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5078.2005.11.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 魏彦锋 中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心 22 117 6.0 9.0
2 赵守仁 中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心 3 8 2.0 2.0
3 陈新强 中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心 12 49 5.0 6.0
4 徐庆庆 中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心 6 9 2.0 2.0
5 曹妩媚 中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心 3 19 2.0 3.0
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HgCdTe薄膜材料
液相外延
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