采用(211)碲锌镉衬底制备碲镉汞液相外延薄膜

• 作者: 徐庆庆 曹妩媚 杨建荣 赵守仁 陈新强 魏彦锋
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: CdZnTe衬底 HgCdTe薄膜材料 液相外延
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 碲镉汞外延和衬底材料
• 页码范围: 842-844
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054|TN304.2+5
• 字数: 2606字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2005.11.013

摘要

文中对(211)晶向的CdZnTe衬底进行液相外延生长HgCdTe.获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0.30～0.33,薄膜厚度为10～15μm,表面缺陷密度为500cm-2,材料的FWHM达到24弧秒,位错腐蚀坑密度约为2×105cm-2,该材料的表面形貌与采用(111)晶向衬底的HgCdTe外延材料有较大区别.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏彦锋	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心	22	117	6.0	9.0
2	赵守仁	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心	3	8	2.0	2.0
3	陈新强	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心	12	49	5.0	6.0
4	徐庆庆	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心	6	9	2.0	2.0
5	曹妩媚	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心	3	19	2.0	3.0