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摘要:
本文主要介绍一种新的存储器技术--相变存储器,阐述其工作机制、操作过程、研究现状以及在未来尺寸缩小应用的前景,并与当今主流存储技术--flash存储器进行比较.
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变存储器
离散地址
数据
写入
读出
控制
存储器类型的CDT构造Ⅰ
CDT
存储器类型
基础范畴
因子分解
并行处理
内容分析
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文献信息
篇名 相变存储器简介与展望
来源期刊 中国集成电路 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2005,(4) 所属期刊栏目 新技术
研究方向 页码范围 48-51
页数 4页 分类号 TN4
字数 2492字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1681-5289.2005.04.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 甘学温 北京大学微电子学系 13 141 7.0 11.0
2 邓志欣 北京大学微电子学系 1 36 1.0 1.0
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中国集成电路
月刊
1681-5289
11-5209/TN
大16开
北京朝阳区将台西路18号5号楼816室
1994
chi
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