高饱和电流14xx nm应变量子阱激光器的研制

• 作者: 张敬明 张洪波 朱晓鹏 王国宏 韦欣 马骁宇
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光技术 应变量子阱激光器 光纤拉曼放大器 14xx nm抽运源 锥形增益区
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 激光器件
• 页码范围: 161-163
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1545字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2005.02.005

摘要

报道了14xx nm应变量子阱(SQW)激光器管芯的研制成果.通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长工艺生长14xx nm AlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱外延片,采用带有锥形增益区的脊型波导结构制作激光器管芯.生长好的外延片按照双沟脊型波导激光器制备工艺进行光刻、腐蚀,制作P面电极(溅射TiPtAu)、减薄、制作N面电极(蒸发AuGeNi),然后将试验片解理成Bar;为获得高的单面输出功率,用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR)进行腔面镀膜,HR=90%,AR=5%;解理成的管芯P面朝下烧结到铜热沉上,TO3封装后在激光器综合测试仪进行测试.管芯功率达到440 mW以上,饱和电流3 A以上,峰值波长1430 nm,远场发散角为40°×14°.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马骁宇	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	93	616	12.0	21.0
2	王国宏	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	41	1911	17.0	41.0
3	张敬明	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	8	45	4.0	6.0
4	韦欣	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	10	38	3.0	6.0
5	朱晓鹏	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	5	14	2.0	3.0
6	张洪波	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	11	69	5.0	8.0