基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
推荐文章
器件尺寸对MOS器件辐照效应的影响
金属-氧化物-半导体
器件尺寸
辐照效应
VLSI器件按比例缩小的发展趋势及挑战
阈值电压
互连线RC延迟
EJ-DTMOS
槽栅结构对小尺寸MOS器件特性的影响
槽栅MOSFET
深亚微米
拐角效应
小尺寸
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 器件尺寸缩小的挑战
来源期刊 中国集成电路 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2005,(3) 所属期刊栏目 器件与工艺
研究方向 页码范围 74-78
页数 5页 分类号 TN4
字数 4641字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1681-5289.2005.03.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 甘学温 13 141 7.0 11.0
2 吴大可 2 10 2.0 2.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (4)
节点文献
引证文献  (8)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1997(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1998(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2001(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2005(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2012(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2014(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2015(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2016(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2017(2)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(0)
2018(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2019(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国集成电路
月刊
1681-5289
11-5209/TN
大16开
北京朝阳区将台西路18号5号楼816室
1994
chi
出版文献量(篇)
4772
总下载数(次)
6
总被引数(次)
7210
论文1v1指导