在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥

• 作者: 傅竹西 刘仕锋 尤力平 张纪才 戴伦 秦国刚
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 纳米结构 透射电子显微镜 光致荧光谱
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4329-4333
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2517字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.09.066

摘要

在现有的一台蒸发镀膜机基础上,设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统.该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制等优点,有利于化合物半导体纳米材料的生长.利用该生长系统,通过在生长过程中掺入等电子杂质In作为表面活性剂,分别在Si衬底和3C-SiC/Si衬底上生长出高质量的具有纤锌矿结构的单晶GaN纳米线和纳米尖三棱锥.所得产物通过场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、能量色散x射线谱仪、x射线衍射仪,和荧光谱仪进行表征.这里所用的生长方法新颖,生长出的GaN纳米尖三棱锥在场发射和激光方面有潜在的应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦国刚	北京大学物理学院	20	128	6.0	10.0
3	傅竹西	中国科学技术大学物理系	53	808	17.0	27.0
4	戴伦	北京大学物理学院	6	9	2.0	2.0
6	张纪才	中国科学院半导体研究所	7	43	3.0	6.0
7	刘仕锋	北京大学物理学院	1	3	1.0	1.0
10	尤力平	北京大学物理学院	15	90	5.0	9.0