微波等离子体化学气相沉积方法在Si衬底上生长SiC纳米线

• 作者: 胡颖
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 微波等离子体化学气相沉积 SiC纳米线 生长机理
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、热学和力学性质
• 页码范围: 2452-2455
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 1632字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.12.031

摘要

应用微波等离子体化学气相沉积方法,在单晶Si(100)衬底上生长出SiC纳米线.应用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、能量损失谱(EDS)和选区电子衍射(SAD)等方法对纳米线化学组成和结构进行了分析和表征.给出该纳米线的生长机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡颖	首都师范大学物理系	11	168	7.0	11.0