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摘要:
应用微波等离子体化学气相沉积方法,在单晶Si(100)衬底上生长出SiC纳米线.应用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、能量损失谱(EDS)和选区电子衍射(SAD)等方法对纳米线化学组成和结构进行了分析和表征.给出该纳米线的生长机理.
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文献信息
篇名 微波等离子体化学气相沉积方法在Si衬底上生长SiC纳米线
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 微波等离子体化学气相沉积 SiC纳米线 生长机理
年,卷(期) 2001,(12) 所属期刊栏目 凝聚物质:结构、热学和力学性质
研究方向 页码范围 2452-2455
页数 4页 分类号 O4
字数 1632字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.12.031
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 胡颖 首都师范大学物理系 11 168 7.0 11.0
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研究主题发展历程
节点文献
微波等离子体化学气相沉积
SiC纳米线
生长机理
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
相关基金
北京市自然科学基金
英文译名:Natural Science Foundation of Beijing Province
官方网址:http://210.76.125.39/zrjjh/zrjj/
项目类型:重大项目
学科类型:
论文1v1指导