大功率670nm半导体激光器的研制

• 作者: 刘素平 林涛 江李 王俊 王国宏 谭满清 韦欣 马骁宇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 670nm 半导体激光器 金属有机化学气相沉积 腔面光灾变
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 176-179
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1521字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.046

摘要

采用低压金属有机化学气相沉积生长了670nm激光器外延片,有源区采用单量子阱结构,阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP.利用该外延片制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器.激光器腔长为900μm,电流注入区条宽为100μm,两端的无注入区宽度均为25μm.镀膜后器件的阈值电流为0.4A,输出波长670士2nm,最大输出功率为1100mW,水平、垂直发散角分别为8°,40°.表明该种结构可以提高器件的腔面光灾变功率.