一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型

• 作者: 余志平 邵雪
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非平衡态格林函数 量子力学效应 超薄沟道 三维 数值模拟 FinFET
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1191-1196
• 页数: 6页
• 分类号: TP4
• 字数: 3979字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.06.025

摘要

提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型.采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现与三维泊松方程的自恰求解.模拟结果显示纳米尺度的FinFET器件具有良好的开关特性和亚阈值特性.这个模型还能适用于量子线等其他三维结构的纳米器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余志平	清华大学微电子学研究所	45	158	7.0	10.0
2	邵雪	清华大学微电子学研究所	3	12	1.0	3.0