MOCVD制备的ZnO薄膜及其在太阳电池背电极应用

• 作者: 张晓丹 徐步衡 耿新华 薛俊明 赵颖 陈新亮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD ZnO薄膜 B掺杂 背电极 太阳电池
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2363-2368
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2522字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.018

摘要

研究了利用LP-MOCVD技术制备的不同B掺杂浓度对ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.对XRD和SEM的研究结果表明,B掺杂对ZnO薄膜的微观结构有重大影响.通过优化工艺,当B2H6流量为17sccm(约1%掺杂浓度)时,在20cm×20cm大面积衬底上生长出厚度为700nm,方块电阻为38Ω/□,透过率大于85%,迁移率为17.8cm2/(V·s)的绒面结构ZnO薄膜.其应用于太阳电池背反射电池后,可使电池短路电流提高将近3mA,使20cm×20cm面积的a-Si集成电池效率高达9.09%.