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SiC薄膜制备MEMS结构
SiC薄膜制备MEMS结构
作者:
张国炳
张海霞
李志宏
王煜
田大宇
郭辉
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
SiC
MEMS
谐振器
残余应力检测结构
摘要:
采用PECVD方法制备了无定形SiC薄膜,在此基础上,以SiC为结构层,利用传统的表面硅牺牲层工艺制作了电容式谐振器以及薄膜残余应力的在片检测结构.对SiC的MEMS结构进一步进行了长时间的腐蚀,以获得SiC材料的腐蚀特性.对SiC材料的力学特性进行了研究.深入探讨了退火工艺、薄膜硅碳原子比对SiC薄膜力学特性的影响,同时对薄膜硅碳原子比与制备工艺参数(包括硅烷、甲烷流量)之间的关系进行了实验研究.
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文献信息
篇名
SiC薄膜制备MEMS结构
来源期刊
中国机械工程
学科
工学
关键词
SiC
MEMS
谐振器
残余应力检测结构
年,卷(期)
2005,(14)
所属期刊栏目
微纳加工与测试及封装技术
研究方向
页码范围
1310-1312
页数
3页
分类号
TN405
字数
2550字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1004-132X.2005.14.026
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
李志宏
北京大学微电子研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室
11
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5.0
9.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
SiC
MEMS
谐振器
残余应力检测结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国机械工程
主办单位:
中国机械工程学会
出版周期:
半月刊
ISSN:
1004-132X
CN:
42-1294/TH
开本:
大16开
出版地:
湖北省武汉市湖北工业大学772信箱
邮发代号:
38-10
创刊时间:
1973
语种:
chi
出版文献量(篇)
13171
总下载数(次)
15
总被引数(次)
206238
相关基金
北京市自然科学基金
英文译名:
Natural Science Foundation of Beijing Province
官方网址:
http://210.76.125.39/zrjjh/zrjj/
项目类型:
重大项目
学科类型:
期刊文献
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